在微納工程領域，從一個基于CAD的數字設計到一個功能化的物理器件，其間的鴻溝由一系列精密的制造工藝來填補，其中光刻無疑是定義器件幾何形態的基石。對于那些深耕于電子顯微鏡及原位測量系統領域、擁有數十年技術積淀的企業而言，其能力邊界的拓展往往遵循著一條清晰的物理學脈絡——從“觀察”微觀世界，到“改造”微觀世界。正是在這一邏輯驅動下，先進的微納加工解決方案應運而生。

作為半導體產業的黃金標準，基于物理掩模版的傳統光刻技術在規?；a中展現了無與倫比的效率與一致性。然而當我們將視角從大規模生產線轉移至以探索、迭代和驗證為核心的研發環境時，這一成熟的范式便顯現出其固有的局限性。本文旨在深入探討這一“范式錯配”問題，并系統闡述以數字微鏡器件（DMD）為代表的空間光調制器（SLM）如何驅動無掩模光刻技術的發展，從而為前沿科研與工程開發提供一種更為敏捷、靈活且功能強大的微加工解決方案。

一、傳統光刻的核心邏輯：基于物理掩模版的圖形轉移

從根本上說，傳統光刻是一種高精度的圖形復制技術。其物理過程可分解為幾個關鍵步驟：

光刻膠旋涂：在基底（如硅晶圓、玻璃）上形成一層對特定波長光（通常是紫外光）敏感的、厚度均勻的光敏聚合物薄膜——光刻膠。

對準與曝光：將一塊承載著預制圖形（通常為不透光的鉻層）的石英掩模版，與基底進行精確對準。之后，準直的紫外光源通過掩模版，將圖形信息以光強的空間分布形式，投影到下方的光刻膠層上。光化學反應隨之發生，被照射區域的光刻膠化學鍵發生斷裂或交聯。

顯影：在特定化學溶液中，溶解掉曝光或未曝光區域的光刻膠（取決于其正、負性），從而將掩模版上的二維抽象圖案，以具有三維輪廓的光刻膠實體結構，精確地復現在基底之上。

圖1 傳統光刻技術核心工藝流程示意圖

此后，這層光刻膠結構便可作為后續工藝（如刻蝕、薄膜沉積、離子注入）的“臨時掩?！?。在此傳統光刻流程中，物理掩模版是連接數字設計與物理世界的核心橋梁和唯一圖形載體，它是一個高精度的、靜態的、物理化的圖形數據庫。正是這一核心特性，在研發環境中衍生出三大結構性挑戰。

二、研發環境中的結構性挑戰：成本、周期與功能維度的制約

1.高昂的非周期性工程成本

掩模版的制作涉及高分辨率的電子束光刻、精密的濕法/干法刻蝕及嚴格的缺陷檢測，其制造成本，即非周期性工程成本，是研發初期一筆顯著的開銷。對于需要進行多方案并行驗證或參數掃描的科研項目，為每一個設計變量定制一套掩模版，將導致成本呈線性、甚至階躍式增長，這直接抑制了探索性實驗的廣度。

圖2 不同技術節點的掩膜組成本趨勢

2.漫長的設計-驗證周期

掩模版的外部供應鏈依賴性導致了較長的交付周期。一個設計從定稿到掩模版入庫，通常需要數周時間。這嚴重拉長了“設計-制造-測試-優化”的迭代循環，使得本應敏捷的研發過程，被迫嵌入了一個高慣性的“瀑布式”環節。在爭分奪秒的前沿研究中，這種時間延遲可能導致錯失關鍵的創新窗口。

3.圖形無法靈活變化

物理掩模版的靜態屬性，使其無法適應研發過程中頻繁的設計修改需求。任何微小的調整都意味著掩模版的廢棄和重制。

三、數字化變革：基于空間光調制器的動態圖形生成

為突破上述瓶頸，一種無需物理掩模、直接由數字信號驅動的“直寫”技術應運而生，其核心是空間光調制器（SLM）。其中以數字微鏡器件（DMD）應用廣泛和成熟。DMD的本質是一個半導體光學開關陣列，它在一個CMOS基板上集成了數百萬個可獨立高速偏轉的微米級反射鏡。每個微鏡代表一個像素，并擁有三種精確控制的狀態：

“On”態（開態）：當光源以與DMD法線成24°角入射時，微鏡向一個方向（如+12°）偏轉，將入射光精準地反射入投影光路的光瞳中，使對應像素在基底上成像為亮點。

“Off”態（關態）：微鏡向相反方向（如-12°）偏轉，將光束反射出投影光路，使其被光吸收阱捕獲，對應像素成像為暗點。

Flat態（平坦態）：微鏡處于0°不偏轉狀態，通常為存儲或復位狀態。

無掩模光刻系統的工作流程，是對傳統光刻范式的一次重構：

CAD數據 -> 光柵化處理 -> DMD驅動 -> 形成動態光場 -> 投影曝光

圖3 無掩模光刻（DMD技術）數字化工作流程示意圖

設計文件（如GDSII, DXF）首先被軟件光柵化，轉換為位圖信息。該信息實時加載到DMD控制器，驅動數百萬微鏡以微秒級的速度協同翻轉，從而在曝光瞬間，生成了一個與設計圖形對應的動態二進制光場，其功能等同于一個可瞬時刷新的“虛擬掩?！?。這個光場經過投影物鏡系統縮放后，直接在光刻膠上完成圖形的寫入。

四、技術優勢與前沿應用：研發范式的重塑

這種從“靜態物理模板”到“動態數字光場”的轉變，為微納加工的研發工作帶來了多維度的能力躍遷。

1.實現真正的敏捷開發與快速原型驗證

最核心的優勢在于，設計的修改成本幾乎為零。研究人員可以在數分鐘內完成從設計修改到再次曝光的全過程。這使得參數化掃描變得輕而易舉，例如，在設計微流控混合器時，可以快速制造出一系列具有不同通道寬度、交叉角度的器件，并通過實驗數據驅動設計優化。在MEMS諧振器的研究中，可以快速迭代懸臂梁的幾何參數，以尋找最佳的頻率響應。這種能力將研發流程從傳統的“瀑布模型”解放出來，帶入了高效的“敏捷模型”。

2.解鎖灰度光刻，賦能三維微納制造

DMD的數字化本質，使其能夠通過脈沖寬度調制（PWM）技術，實現高精度的灰度曝光。在一個曝光周期內，通過精確控制單個微鏡在“開”態停留的時間占總時間的比例（即占空比），可以線性地調節該像素點所接收到的累積光劑量。光刻膠在顯影后，不同光劑量對應的區域會形成不同的殘留厚度。

這一能力是制造復雜三維微結構的利器。例如，在微光學領域，可以通過生成精確的灰度圖樣，一次性曝光制造出具有連續曲面的菲涅爾透鏡或衍射光柵，其性能遠優于通過多步二元光刻疊加出的階梯狀近似結構。

圖4 澤攸科技DMD案例（3D灰度光刻實現菲涅爾透鏡，從掃面電鏡的截面圖中可以看出臺階連續變化）

3.催生“混合光刻”新策略在許多器件的研發中，往往同時存在對精度要求迥異的不同結構。例如，一個典型的量子計算芯片或高頻氮化鎵（GaN）HEMT器件，其微米級的電極引線、連接焊盤等占據了大部分面積，但對線寬控制要求相對寬松；而其核心的約瑟夫森結或T型柵電極，尺寸則在納米量級，精度要求極為苛刻。

圖5 澤攸科技DMD無掩膜光刻機

圖6 澤攸科技EBL電子束光刻機

此時，“混合光刻”策略應運而生。它主張使用不同技術處理不同層級的結構，以實現全局效率-成本-性能平衡。具體實踐中，可以首先采用基于DMD的無掩模光刻系統（如澤攸科技ZML系列）高效完成兩項核心工作：一是高速、大面積地完成所有非關鍵的微米級結構的加工；二是為后續的納米級光刻制作出高精度、高反差的對準標記。隨后，再利用電子束光刻系統（如澤攸科技ZEL304G）的超高分辨率，憑借先前制作的對準標記進行精確定位，在DMD光刻預留出的關鍵區域內，進行納米級核心圖形的精確套刻寫入。這種策略將DMD光刻的高通量與EBL的高分辨率優勢無縫銜接、深度互補，已成為前沿器件研發領域一種經濟的可行方案。

圖7 DMD紫外光與電子束聯合光刻

無掩模光刻技術，通過將空間光調制器引入光路，實現了從靜態物理掩模到動態數字光場的根本性轉變。它不僅解決了傳統光刻在研發階段面臨的成本、周期和靈活性瓶頸，更通過灰度光刻和混合光刻等新能力，拓展了微納加工的工藝邊界。對于身處創新一線的工程師與科研人員而言，它不再僅僅是一個加工設備，而是一個無縫連接數字設計與物理驗證的強大平臺，一個能夠將研發迭代速度推向新高度的“加速器”，從而讓更多的創新構想，能夠更快、更自由地在微觀世界中得以實現。